rt4agp907_fcp910
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RT4AGP907_FCP910
RT4AGP907 e RTAGECP910 são diodos PIN flip-chip de Arsenieto de Gálio e Alumínio (AlGaAs). Esses dispositivos são fabricados em wafers epitaxiais OMCVD usando um processo otimizado para alta uniformidade de dispositivo e parasitas excepcionalmente baixos. O resultado final é um diodo com um RC extremamente baixo
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produto. (0,1ps) e características de comutação 2_3nS. Eles são totalmente passivados com nitreto de silício e têm uma camada de polímero adicionada para proteção contra arranhões. O revestimento protetor evita danos à junção e à ponte de ar do ânodo durante o manuseio e a montagem.
