Mosfet

O RVS47N60P/PT é um MOSFET de alta tensão com modo de aprimoramento de canal, produzido utilizando a nova plataforma da tecnologia Rongtech Mos. Ele atinge baixas perdas de condução e de comutação. Ele conduz os engenheiros de projeto a conversores de potência com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é de aplicação universal, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e flexíveis.

O RVF3878PN é um transistor de efeito de campo MOS de potência com modo de aprimoramento de canal N, produzido com a tecnologia VDMOS de estrutura F-Cell™M proprietária da Rongtec. A célula de faixa plana aprimorada e o terminal de anel de guarda aprimorado foram especialmente projetados para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia nos modos de avalanche e comutação. Esses dispositivos são amplamente utilizados em fontes de alimentação CA-CC, conversores CC-CC e drivers de motores PM em ponte H.

O RVF4N90F/MJ é um transistor de efeito de campo MOS de potência com modo de aprimoramento de canal N, produzido com a tecnologia VDMOS de estrutura de célula F, patenteada pela Rongtec. A célula de faixa plana aprimorada e o terminal de anel de proteção aprimorado foram especialmente projetados para minimizar a resistência no estado ligado, proporcionar desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia nos modos de avalanche e comutação. Esses dispositivos são amplamente utilizados em fontes de alimentação CA-CC, conversores CC-CC e drivers de motores PM em ponte H.

O RVT10180NT/D é um transistor de efeito de campo MOS de potência com modo de aprimoramento de canal N, produzido utilizando a tecnologia RongteLVMOS. O processo aprimorado e a estrutura da célula foram especialmente adaptados para minimizar a resistência no estado ligado e proporcionar desempenho de comutação superior. Este dispositivo é amplamente utilizado nas áreas de fontes de alimentação ininterruptas e gerenciamento de energia de sistemas inversores.

Descrição do MOSFET de Potência de Canal N de Silício RM110N06PK: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de entrada de dreno estático (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM110N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma Resistência de Drenagem-Fonte Estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM75N08PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício de Canal N RM70N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma Resistência de Drenagem-Fonte Estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM60N10PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (Shang Hai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.