Mosfet

RVS47N60P/PT é um MOSFET de alta tensão de modo de aprimoramento de canal produzido usando a nova plataforma da tecnologia Rongtech Mos. Ele atinge baixa perda de condução e perdas de comutação. Ele leva os engenheiros de projeto a seus conversores de energia com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é universalmente aplicável, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e suaves.

RVF3878PN é um transistor de efeito de campo MOS de potência de modo de aprimoramento de canal N que é produzido usando a tecnologia VDMOS de estrutura F-Cell™M proprietária da Rongtec. A célula de faixa planar aprimorada e o terminal de anel de proteção aprimorado foram especialmente adaptados para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia no modo de avalanche e comutação. Esses dispositivos são amplamente usados ​​em fornecedores de energia CA-CC, conversores CC-CC e drivers de motor PM de ponte H.

RVF4N90F/MJ é um transistor de efeito de campo MOS de potência de modo de aprimoramento de canal N que é produzido usando a tecnologia VDMOS de estrutura F-Cell'' proprietária da Rongtec. A célula de faixa planar aprimorada e o terminal de anel de proteção aprimorado foram especialmente adaptados para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia no modo de avalanche e comutação. Esses dispositivos são amplamente usados ​​em fornecedores de energia CA-CC, conversores CC-CC e drivers de motor PM de ponte H.

O RVT10180NT/D é um transistor de efeito de campo MOS de potência de modo de aprimoramento de canal N que é produzido usando a tecnologia RongteLVMOS. O processo aprimorado e a estrutura da célula foram especialmente adaptados para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior. Este dispositivo é amplamente utilizado nas áreas de fontes de alimentação ininterruptas e gerenciamento de energia de sistemas inversores.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM110N06PK: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc., . Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM110N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc., tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM75N08PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM70N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM60N10PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (Shang Hai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.