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17-05-2025
Sensor de efeito Hall de circuito fechado
O avanço dos semicondutores de banda larga (SiC/GaN) e da infraestrutura de carregamento ultrarrápido exigirá sensores com larguras de banda mais altas (>500 kHz) e maior resiliência térmica. A integração com interfaces digitais (I²C, SPI) e diagnósticos embarcados (por exemplo, autocalibração, relatório de falhas) simplificará ainda mais o projeto do sistema. Inovações em núcleos magnéticos nanocristalinos e elementos Hall baseados em MEMS podem elevar a precisão para além de ±0,05%.
