Mosfet

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM50N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM45N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM30N20PK: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM40N10PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc.,. Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de potência de canal N de silício RM40N10PK: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc., tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS (on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Este MOSFET da Rongtech Industry(ShangHai) Inc., . Tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir RDS(on) de resistência estática extremamente baixa de drenagem para fonte. Por esse motivo, este MOSFET tem baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

RVS35N60PN é um MOSFET de alta tensão de modo de aprimoramento de canal produzido usando a tecnologia Rongtech DP MOS. Ele atinge baixa perda de condução e perdas de comutação. Ele leva os engenheiros de projeto a seus conversores de energia com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é universalmente aplicável, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e suaves.

RVS24N60F/PT é um MOSFET de alta tensão de modo de aprimoramento de canal N produzido usando a nova plataforma da tecnologia Rongtech Mos. Ele atinge baixa perda de condução e perdas de comutação. Ele leva os engenheiros de projeto a seus conversores de energia com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é universalmente aplicável, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e suaves.

RVS20N65F/S/PN é um MOSFET de alta tensão de modo de aprimoramento de canal N produzido usando a tecnologia DP MOS da Rongtech. Ele atinge baixa perda de condução e perdas de comutação. Ele leva os engenheiros de projeto a seus conversores de energia com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é universalmente aplicável, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e suaves.