Mosfet

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM50N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício Canal N RM45N06PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM30N20PK: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de entrada de dreno estático (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM40N10PA: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Descrição do MOSFET de Potência de Silício N-Channel RM40N10PK: Este MOSFET da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possui tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

Estes MOSFETs da Rongtech Industry (ShangHai) Inc. possuem tecnologia avançada de 6 polegadas para atingir uma resistência de dreno-fonte estática (RDS(on)) extremamente baixa. Por esse motivo, este MOSFET apresenta baixo consumo de energia durante a aplicação, o que também aumenta a confiabilidade e a durabilidade.

O RVS35N60PN é um MOSFET de alta tensão com modo de aprimoramento de canal, produzido com a tecnologia Rongtech DP MOS. Ele atinge baixas perdas de condução e de comutação. Ele conduz os engenheiros de projeto a conversores de potência com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é de aplicação universal, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e flexíveis.

O RVS24N60F/PT é um MOSFET de alta tensão com modo de aprimoramento de canal N, produzido utilizando a nova plataforma da tecnologia Rongtech Mos. Ele atinge baixas perdas de condução e de comutação. Ele conduz os engenheiros de projeto a conversores de potência com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é de aplicação universal, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e flexíveis.

O RVS20N65F/S/PN é um MOSFET de alta tensão com modo de aprimoramento de canal N, produzido com a tecnologia DP MOS da Rongtech. Ele atinge baixas perdas de condução e de comutação. Ele conduz os engenheiros de projeto a conversores de potência com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é de aplicação universal, ou seja, adequado para topologias de comutação rígida e flexível.