RVS20N65F/S/PN Folha de dados 20A, 650V DP MOS TRANSISTOR DE POTÊNCIA
- Rongtech
- China
- 7 dias
- 30000
RVS20N65F/S/PN é um MOSFET de alta tensão de modo de aprimoramento de canal N produzido usando a tecnologia DP MOS da Rongtech. Ele atinge baixa perda de condução e perdas de comutação. Ele leva os engenheiros de projeto a seus conversores de energia com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é universalmente aplicável, ou seja, adequado para topologias de comutação rígidas e suaves.
RVS20N65F/S/PN Folha de dados 20A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR Características
1. 20A, 650V
2. Nova tecnologia revolucionária de alta tensão
3. Taxa de porta ultrabaixa
4. Classificação de avalanche periódica
5. Classificação dv/dt extrema
6. Capacidade de alta corrente de pico
RVS20N65F/S/PN Folha de dados 20A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR dados
