Ficha técnica RVS20N65F/S/PN 20A, 650V DP MOS TRANSISTOR DE POTÊNCIA
- Rongtech
- China
- 7 dias
- 30000
O RVS20N65F/S/PN é um MOSFET de alta tensão com modo de aprimoramento de canal N, produzido com a tecnologia DP MOS da Rongtech. Ele atinge baixas perdas de condução e de comutação. Ele conduz os engenheiros de projeto a conversores de potência com alta eficiência, alta densidade de potência e comportamento térmico superior. Além disso, é de aplicação universal, ou seja, adequado para topologias de comutação rígida e flexível.
Ficha técnica do transistor de potência MOS DP de 20 A e 650 V do RVS20N65F/S/PN
1. 20A, 650V
2. Nova tecnologia revolucionária de alta tensão
3. Taxa de porta ultrabaixa
4. Classificação de avalanche periódica
5. Classificação dv/dt extrema
6. Capacidade de alta corrente de pico
Ficha técnica RVS20N65F/S/PN 20A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR
