RVF4N90F/MJ_ Folha de dados MOSFET de canal N de 4 A e 900 V
- Rongtech
- China
- 7 dias
- 30000
RVF4N90F/MJ é um transistor de efeito de campo MOS de potência de modo de aprimoramento de canal N que é produzido usando a tecnologia VDMOS de estrutura F-Cell'' proprietária da Rongtec. A célula de faixa planar aprimorada e o terminal de anel de proteção aprimorado foram especialmente adaptados para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia no modo de avalanche e comutação. Esses dispositivos são amplamente usados em fornecedores de energia CA-CC, conversores CC-CC e drivers de motor PM de ponte H.
RVF4N90F/MJ_ Folha de dados 4A, 900V N CANAL MOSFET CARACTERÍSTICAS
1. 4A, 900V
2. Taxa de portão baixa
3. Baixo Crss
4. Troca rápida
5. Capacidade dv/dt melhorada
RVF4N90F/MJ_ Folha de dados 4A, 900V N CHANNEL MOSFET dados
