RVF4N90F/MJ_ Folha de dados 4A, 900V N CHANNEL MOSFET
- Rongtech
- China
- 7 dias
- 30000
O RVF4N90F/MJ é um transistor de efeito de campo MOS de potência com modo de aprimoramento de canal N, produzido com a tecnologia VDMOS de estrutura de célula F, patenteada pela Rongtec. A célula de faixa plana aprimorada e o terminal de anel de proteção aprimorado foram especialmente projetados para minimizar a resistência no estado ligado, proporcionar desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia nos modos de avalanche e comutação. Esses dispositivos são amplamente utilizados em fontes de alimentação CA-CC, conversores CC-CC e drivers de motores PM em ponte H.
RVF4N90F/MJ_ Ficha Técnica MOSFET 4A, 900V CANAL N CARACTERÍSTICAS
1. 4A, 900V
2. Taxa de portão baixa
3. Baixo Crss
4. Troca rápida
5. Capacidade dv/dt aprimorada
Folha de dados RVF4N90F/MJ_ 4A, 900V N CHANNEL MOSFET dados
