Ficha técnica RVT10180NT/D MOSFET de canal N de 45 A e 100 V

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Ficha técnica RVT10180NT/D MOSFET de canal N de 45 A e 100 V
  • Rongtech
  • China
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O RVT10180NT/D é um transistor de efeito de campo MOS de potência com modo de aprimoramento de canal N, produzido utilizando a tecnologia RongteLVMOS. O processo aprimorado e a estrutura da célula foram especialmente adaptados para minimizar a resistência no estado ligado e proporcionar desempenho de comutação superior. Este dispositivo é amplamente utilizado nas áreas de fontes de alimentação ininterruptas e gerenciamento de energia de sistemas inversores.

Ficha técnica do RVT10180NT/D 45A, 100V MOSFET N-CHANNEL CARACTERÍSTICAS

1. 45A, 100VBaixa carga de porta

2. Taxa de portão baixa

3. Baixo Crss

4. Troca rápida

5. Capacidade dv/dt aprimorada


Folha de dados RVT10180NT/D 45A, dados MOSFET de canal N de 100 V

RVT10180NT/D Datasheet 45A

 100V N-CHANNEL MOSFET

RVT10180NT/D Datasheet 45A

 100V N-CHANNEL MOSFET

RVT10180NT/D Datasheet 45A

 100V N-CHANNEL MOSFET


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